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恒电流应力引起HfO2栅介质薄膜的击穿特性
利用磁控溅射的方法在p-si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究......
期刊
恒电流应力
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HFO2
击穿
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